Тест: разгон недорогой оперативной памяти DDR3. Крайнее средство. Нюансы разгона оперативной памяти

часть первая: аппаратное изменение параметров работы процессора и памяти

Предупреждение: модификации, о которых рассказывается в этой статье, могут привести к необратимому выходу ноутбука из строя и дальнейшему дорогостоящему ремонту! Любые модификации, описанные в настоящем материале, производятся пользователями на свой страх и риск.

Если вы не уверены в своих действиях или не очень хорошо знакомы с устройствами, описанными в статье, не стоит прибегать к описанным методам разгона!

Введение

Разогнать ноутбук несколько сложнее, чем настольный компьютер. Если в разгоне настольного компьютера 80% времени занимает процесс подбора нужных параметров в BIOS, то в разгоне ноутбука эту часть времени займет поиск ответа на вопрос "А как его вообще разогнать?", потому что BIOS ноутбука настройками для разгона не балует.

В ноутбуке, как и в стационарном компьютере, разогнать можно процессор, оперативную память и видеокарту.

Видеокарта

С ней обычно проблем нет, существует множество программ, позволяющих без труда её разогнать, например, RivaTuner, AtiTool и прочие. Аппаратно видеокарту разгонять тоже можно (модифицировать её BIOS, делать вольтмод видеочипа и видеопамяти), но сделать это непросто и опасно. На скорость загрузки ОС аппаратный разгон видеокарты не влияет, поэтому единственным удобством станет то, что после переустановки операционной системы не придется заново создавать профили разгона. К тому же, такой способ гораздо опасней программного, ведь в случае, например,неудачной модификации видео-BIOS в ноутбук не установишь другую видеокарту, а прошивать вслепую рабочий вариант BIOS не всегда возможно.

Оперативная память

В чипсетах AMD частота памяти не зависит от частоты FSB, но удачный самостоятельный разгон возможен только при использовании процессора AMD. В случае связки процессора Intel с чипсетом AMD частота памяти выбирается максимально возможная по данным из SPD (из поддерживаемых чипсетом, естественно), т.е. фактически для разгона памяти в этом случае достаточно прошить в SPD бОльшую частоту.

Процессор

С ним часто приходится попотеть, чтобы получить желаемый результат. Разогнать процессор в ноутбуке можно тремя основными способами:

1. Программный разгон. Он осуществляется с помощью программ, которые управляют тактовым генератором (ТГ, PLL-микросхема, clocker, клокер) и умеют на лету изменять частоту FSB . Здесь есть одно "но" - чтобы программа работала, нужно знать, какой тактовый генератор установлен в Вашем ноутбуке, а для этого придётся либо его разбирать и искать заветную микросхему на плате, либо подбирать, пробуя каждый из немалого списка ТГ. Примерами программ для разгона являются SetFSB, Clockgen и прочие. Есть также некоторые факторы, ограничивающие применение этого метода разгона, а именно:

• не все PLL поддерживают программное управление;
• бывает, что разгон заблокирован аппаратно или на уровне BIOS. Т.е. даже если нужный ТГ поддерживается программой, разгон осуществить не удастся;
• новые ноутбуки с новыми ТГ выпускают чуть ли не каждую неделю, соответственно, на добавление поддержки этих ТГ иногда требуется значительное время;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, поэтому при разгоне можно упереться в память.

2. BSEL-мод. Метод заключается в подаче низкого (логический 0) и высокого (логическая 1) уровня на BSEL-пины процессора. Под низким и высоким уровнем понимается напряжение определённой величины, оно может быть различным для разных процессоров. Физически реализуется замыканием на землю и изолированием (либо замыканием на Vcc пины процессора) соответствующих пинов процессора. Главный плюс такого метода в том, что чипсет выставляет новое соотношение FSB: DRAM либо более высокие тайминги для оперативной памяти, поэтому разгон не упрётся в память, но не всегда. Как и в случае с программным разгоном, у BSEL-мода есть свои подводные камешки:

• Последние мобильные чипсеты Intel (проверено на 945PM, PM965, PM45) после BSEL-мода блокируют множитель процессора на х6, и результирующая частота оказывается меньше исходной. На чипсетах AMD такой проблемы нет (проверялось на чипсете Xpress 1250 c процессором Intel T2330, BSEL-мод 133->200 прошел успешно);
• частоту FSB таким способом можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.п.;
• если чипсет официально не поддерживает частоту FSB, на которую планируется сделать BSEL-мод, то, скорее всего разгон не удастся. Это может происхоидть по разным причинам, например, блокировка либо отсутствие поддержки других BSEL-комбинаций в BIOS, или невозможность чипсета работать на новой бОльшей частоте и т.п.

3. Мод тактового генератора. Непосредственное вмешательство в электрическую схему, связывающую ТГ с процессором и чипсетом. Метод похож на BSEL-мод, только проводится с BSEL-пинами микросхемы ТГ, а не процессора. При этом в ряде случаев нужно отключать BSEL-пины процессора от модифицируемых BSEL пинов ТГ. Преимущества данного метода:

• он универсален и подходит почти ко всем ноутбукам;
• в отличие от BSEL-мода, чипсетуBIOS необязательно иметь официальную поддержку нужной частоты, и такой разгон невозможно заблокировать в BIOS. В общем случае чипсет вообще не знает, что новая частота FSB отличается от частоты, задаваемой BSEL-пинами процессора.

Недостатки:

• достаточно сложно реализовать, требует навыков обращения с паяльником и некоторых теоретических знаний, а также наличие мультиметра и некоторых других технических приспособлений;
• как и в случае с BSEL-модом, частоту можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.д.;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, так что разгон может упереться в память.
• При таком методе чипсет не переключает свои внутренние тайминги, и увеличить частоту FSB более чем на 66 МГц вряд ли получится.

Последние 2 способа аппаратные, т.е. они начинают работать сразу после нажатия кнопки «ВКЛ», после переустановки ОС тоже не нужно всё настраивать заново.

Разгон видеокарты

В Samsung R560 стоит распаянная на материнской плате дискретная видеокарта GeForce 9600M GS/GT с 256/512 MB GDDR3 памяти. У меня версия GS с 256 MB. Разгонялась она с помощью программы nVidia system tools. Подробно описывать этот процесс смысла нет, т.к. он заключается в передвижении ползунков в программе. Скажу лишь, что после выставления частот необходимо тестировать систему на артефакты и нагрев «волосатыми» тестами типа FurMark или кубика в AtiTool. Артефакты - это искажения изображения при переразгоне. Вот максимальный, стабильный разгон моего экземпляра:

Частоты я поставил в автозагрузку с помощью правил в той же nVidia system tools. Стоит отметить, что в простое карта сама сбрасывает частоты для экономии энергии.

Разгон процессора и памяти

Небольшая предыстория

Тут все оказалась не так гладко как с видеокартой. Когда еще у меня был Samsung R70, я хотел разогнать его программно, потому что понятия не имел об остальных способах. Ради этого я разобрал ноутбук, нашел ТГ и отправился качать программы для изменения частоты FSB. Ноутбук был тогда относительно новым, и поддержки нужного мне ТГ ни в одной программе не оказалось. Точнее, в них были были модели ТГ, похожие на мою, они даже позволяли менять частоту, но через несколько секунд ноутбук зависал.

Я не поленился и написал письмо Abo, разработчику SetFSB, с просьбой добавить поддержку моего ТГ. Однако он ответил, что указанный ТГ не поддерживает программное изменение частоты. Тогда я написал ему про ситуацию насчет изменения частоты при выборе другого PLL, но в ответе он написал, что не понимает как это может быть реализовано.

Но я на этом не остановился. Перелопатив десятки страниц в поисковиках и сайтов на китайском языке, я нашёл и скачал техническое описание (даташит) на свой ТГ и его ближайших родственников. Оттуда я узнал, что ТГ управляется путём записи данных в его регистры . А самое замечательное, что содержимое этих регистров можно просматривать и изменять в SetFSB. Внимательно изучив даташит, я все-таки нашел регистр, с помощью которого можно было управлять частотой этого злополучного PLL:

Видно, что 7-й бит отвечает за включение/выключение ручного режима управления, а с 4-го по 2-й - за выставление частоты. Правда, частоту с его помощью можно было менять только ступеньками с одной стандартной частоты на другую, т.е. 166,200,266 и т.п. - так, как это делает BSEL-мод. И это тоже был, казалось бы, тупик, потому что в R70 стоял процессор с частотой FSB=200 МГц и чипсет PM965, который официально не поддерживает более высокую частоту. Т.е. при переключении с частоты 200 МГц на частоту 266 МГц ноутбук зависал. Вольтмод чипсета я тогда еще делать не умел, впрочем, если бы даже и умел, то неизвестно, помог бы он или нет. Но к счастью, у знакомого оказался процессор T5750, который работал на FSB 166 МГц, и мы поменялись. С этим процессором разгон удался, изменив значение регистра я переставил частоту со 166 на 200 МГц и получил прирост частоты процессора в 400 МГц и частоты памяти в 133 МГц, т.е. процессор стал работать на 2,4 ГГц, а память DDR2 - на 800. Хотя, честно говоря, абсолютный выигрыш от разгона в данном случае несколько сомнителен, так как у моего Т7300 кэш второго уровня 4 МБ, а у Т5750 он в два раза меньше. И непонятно, что в данном случае лучше - лишние 2 МБ кэша или 400 МГц прироста частоты.

И все вроде бы получилсоь, только вот частота выставлялась через раз, а в остальных случаях ноутбук зависал, причем чаще зависал, чем выставлял частоту. Но какое никакое, а достижение. Написал про этот регистр Abo, и он впоследствии добавил поддержку моего PLL в SetFSB. Правда, поддержка не такая, как для «нормальных» ТГ, но хоть какое-то поле для действий. Под «нормальными» ТГ я подразумеваю такие ТГ, которые позволяют изменять частоту с шагом ~1 МГц, а не по таблице.

В R560 стоит точно такой же тактовый генератор. Кстати говоря, не во всех экземплярах R70, R560 и R710 (аналог R560 с 17-дюймовым экраном) стоят ТГ Silego SLG8SP513V. В некоторых устанавливались ТГ фирмы IDT и SpectraLinear. Ситуация с их поддержкой такая же безрадостная как и с SLG, причем в ТГ SpectraLinear частоту переключать нельзя вообще никак. Вот сам ТГ от Silego:

Процесс разгона

В R560 установлен чипсет Intel PM45, который официально поддерживает частоту 266 МГц и может работать даже на частоте 333 МГц, что, казалось бы, создает идеальные условия для разгона моего Т7300 (200*10). Однако не тут-то было. Чипсет при старте ноутбука в зависимости от частоты FSB (точнее, не от самой частоты, а от BSEL-комбинации пинов процессора) выставляет тайминги для памяти, которые он берет из SPD. И получилась такая ситуация: для FSB 200 МГц выставлялись тайминги 6-6-6-15, а для разгона на FSB 266 МГц нужны тайминги 7-7-7-20, если верить SPD. Выходов было несколько:

• сделать BSEL-мод на 333 МГц, тогда множитель заблокируется на х6 и результирующая частота процессора останется такой же (333*6=2,0 ГГц), что достаточно неплохо, учитывая более широкую шину процессора и то, что частота памяти была бы в этом случае 1333 МГц. Тайминги при этом должны выставиться правильные;
• модифицировать SPD модулей памяти так, чтобы на частоту FSB 200 МГц чипсет выставлял тайминги 7-7-7-20. При этом дальше можно было бы заниматься программным разгоном, т.к. память функционировала бы в стандартном режиме.

Первый вариант, на который я так надеялся, отпал после его практической проверки. В таком положении перемычек/изоляторов на BSEL-пинах процессора ноутбук не стартовал вообще. Такая ситуация возможна в силу целого ряда причин, но точную могут знать только инженеры компании Samsung.

Второй вариант было реализовать относительно просто. Существует специальное ПО для перепрошивки SPD, я воспользовался Taiphoon Burner 6.1. Однако при прошивке возникла проблема: в силу того, что в R560 используется память типа DDR3, разные программы почему-то выдают разную информацию об SPD, однако это в итоге не помешало мне при работе с SPD. После недолгих опытов и перепрошиванием SPD туда и обратно выяснилось, что ноутбук упорно не хочет стартовать, если для частоты FSB 200МГц прописан Cas Latency не равный 6, а мне нужен был CL=7. Остальные тайминги без CL=7 выставлялись замечательно. Некоторое время я искал на различных форумах причины такой ситуации, но безрезультатно. Поэтому было решено протестировать тайминги 6 -7-7-20. Вопреки моим ожиданиям, система не только запустилась, но и стабильно работала даже в стресс-тестах.

Вот что прописано в SPD по умолчаниию:

А вот модифицированный вариант:

Так выглядит редактор таймингов:

Стоит отметить, что если у вас только одна планка памяти, то заниматься перепрошивкой SPD не стоит. Потому что в случае неправильной установки таймингов ноутбук стартовать с этой планкой не будет. Я специально для опытов купил еще одну самую дешёвую планку памяти на гигабайт, которую не слишком жалко потерять. Если в ноутбуке стоит две планки и одна из них прошита неправильно, то можно вставить рабочую, загрузить на ней систему, а потом «на горячую» воткнуть нерабочую и прошивать её обратно на рабочие тайминги. Есть риск спалить планку или, что еще хуже, того материнскую плату, но при отсутствии под рукой программатора других вариантов нет. К слову, планку я таким способом возвращал к жизни около 10 раз и сейчас она чудесно функционирует. Позднее было выяснено, что существует безопасный способ с заклеиванием контактов на планках скотчем. Суть его заключается в том, что нужно заклеить скотчем все контакты на планке памяти, кроме тех, которые нужны для чтениязаписи микросхемы SPD. Для So-DIMM DDR3 204pin нужно оставлять незакленными по 5 последних контактов с обоих сторон планки. Если память другая, то нужно найти даташит на нужный формфактор, и в соответствии с ним оставить незаклеенными плюс, массу и пины, касающиеся работы с микросхемой SPD.

Казалось бы, цель достигнута, но у программного разгона R560 есть существенные недостатки - мало того, что, как и в R70, при переключении частоты ноутбук с вероятностью ~70% зависает, при удачном переключении частоты он ещё и перезагружается. Понятно, что о постоянном использовании этой схемы и речи быть не может, в лучшем случае будет двойной старт, в худшем система вообще зависнет.

Финишная прямая

К счастью, это был не конец. На форуме, в ветке про разгон ноутбуков, я наткнулся на запись о том, как один человек (Выражаю благодарность Константину из Байконура, без него то, что я буду описывать далее, не получилось бы) с помощью паяльника и определенных навыков сделал мод, при котором чипсет продолжал думать, что работает на стандартной частоте, в то время как ТГ выдавал другую (способ разгона №3). Множитель, естественно, не блокировался. Посовещавшись с ним, мы пришли к выводу, что аналогичный мод можно сделать и у меня.

Как я уже говорил ранее, в тактовом генераторе существуют три пина, которые выполняют ту же функцию, что и контакты BSEL в процессоре. На рисунке это пины под номерами 5, 17, 64.

В большинстве случаев на этих пинах висят еще и дополнительные функции, поэтому приходится думать, что-то куда-то перепаивать, где-то делать разрыв, добавлять дополнительные сопротивления. В общем, это достаточно трудоёмкий процесс, требующий специальных знаний, навыков, инструментов и деталей. Чтобы сделать такой мод, нужно отследить, с чем соединяется на плате нужный пин тактового генератора. В моем случае это было нереально, так как выходящая из ТГ дорожка через 5 мм уходила во внутренние слои платы. К счастью, мне повезло, на нужном мне пине, а именно №64, была функция, которая ни на что не влияет в нормальном режиме работы ноутбука.

Согласно этой таблице, чтобы переключить частоту с 200 на 266 МГЦ, мне нужно было отпаять пин FS_B (№64) и подать на него низкий уровень, т.е. замкнуть его на землю, чтобы получить логический 0. В принципе, если не замыкать его на землю, а просто отпаять, то, по идее, ничего измениться не должно, так как на стандартной частоте эта нога имеет значение логической единицы. Я не долго думая разобрал ноутбук и перебил дорожку, отходящую от 64-го пина.

Решил проверить ноутбук и убедиться, что он по-прежнему работает. Windows загрузилась, и тут я в трее, рядом со значком RMClock, увидел на индикаторе частоты процессора цифру 2,66, подумал что это какой-то сбой. Выключил, включил, но RMClock все равно показывал те же цирфы, а CPU-Z показывал, что частота FSB равна 266 МГц. Единственное, меня немного смущал вопрос, почему пин, висящий в воздухе, принимается за логический 0. Я протестировал систему на стабильность в течение нескольких минут и наконец собрал ноутбук на все винты, а не на три шурупчика «лишь бы держалось». Можно считать, что цель достигнута.

Вот они, заветные цифры:

В скором времени обнаружилась интересная особенность - после ухода ноутбука в режим сна S3, и выхода из него, частота сбрасывалась на заводскую. Тут я вспомнил про пин, висящий в воздухе, и решил всё-таки припаять его на землю, как и полагается. После этого баг больше не проявлялся.

Охлаждение и тестирование

Во времена, когда у меня был еще R70, очень остро стоял вопрос охлаждения, потому что установленная в него видеокарта 8600M GT сильно греется, а при разгоне температура вообще доходила до 100 градусов. С этим надо было что-то делать. При разборке я заметил, что на других ноутбуках прямо под вентилятором охлаждения предусмотрены вентиляционные отверстия, через которые он засасывает холодный воздух. В R70, также как и в R560, напротив вентилятора таких отверстий нет и поток воздуха из-за этого ослабевает и приходит на вентилятор уже нагретый за счёт тепла компонентов материнской платы. Я решил исправить этот досадный момент колхозным, но эффективным способом:

Уже не помню, насколько упала температура после этого, но могу сказать, что такой ход примерно равносилен покупке охлаждающей подставки, он снижает температуру на 5 и более градусов в зависимости от нагрузки. Кстати о подставке, всем рекомендую приобретать такую, если хотите заняться разгоном ноутбука. Главное при выборе подставки для R560, это расстояние между днищем и подставкой - чем оно больше, тем лучше. Расположение вентиляторов имеет имеет значение только если вы будете сверлить отверстия напротив вентилятора, как это сделал я. Лучше, если заборные отверстия вентилятора ноутбука находятся прямо над вентиляторами подставки.

Теперь о результатах тестов. Рассуждать тут собственно не о чем, цифры говорят сами за себя:

3Dmark 2006 (default, 1280×800, видеокарта под разгоном, процессор и память не разогнаны, XP).

Everest без разгона:

Everest с разгоном:

О температурном режиме могу сказать, что мой T7300 сам по себе горячий, стресс-тестирование S&M или LinX без дополнительного охлаждения он не проходит даже на заводской частоте. Без разгона эта проблема на ура решается понижением напряжения - процессор может стабильно работать при напряжении 0,9875В. А вот с разгоном понижать напряжение уже некуда. С разгоном в ресурсоёмких играх температура процессора держится на уровне 80–90 градусов, видеокарты - около 80. Хотя, в принципе, этот уровень находится в пределах нормы. Примечательно, что после разгона температура процессора практически не изменилась.

Заключение

Разгон ноутбуков - занятие непростое, но интересное и к тому же выгодное. Зачем покупать ноутбук за 50–70 тысяч рублей, когда той же (если не бо́льшей) производительности при правильном подходе можно добиться от ноутбука за 30–40 тысяч. Пример в лице Samsung R560 это подтверждает. Мое личное мнение состоит в том, что Samsung R560 просто создан для разгона. На 45-нм процессоре (которым он, кстати, и комплектуется) можно достичь внушительных результатов: процессор можно разогнать до ~2,8–3,4ГГц, память DDR3 - до 1333МГц. Недурно для ноутбука за ~35 тысяч рублей.

Глоссарий

• Слово «вольтмод» взято из английского (voltmodification) и означает «модификация напряжения». Вольтмод включает в себя любую модернизацию напряжения питания памяти или ядра (не путать с изменением настроек BIOS материнской платы). В основном вольтмод применяют для модернизации системы питания видеокарт или материнских плат.
• Чипсет - набор микросхем материнской платы.
• Тайминги - задержки доступа к данным в DDR-памяти.
• Микросхема SPD (Serial Presence Detect) - микросхема на планке оперативной памяти, в которой хранится информация о частотах, таймингах памяти и многое другое.
• Тактовый генератор - генерирует электрические импульсы заданной частоты (обычно прямоугольной формы) для синхронизации различных процессов в цифровых устройствах.
• Частота, на которой работает центральный процессор, определяется исходя из частоты FSB и коэффициента умножения. Большинство современных процессоров имеют заблокированный коэффициент умножения, так что единственным способом разгона является изменение частоты FSB.
• BSEL-пины на процессоре отвечают за выбор чипсетом и ТГ частоты FSB и всех зависящих от неё параметров соответственно. На последних процессорах таких пинов три, они могут принимать значения логического нуля или единицы. Различные комбинации таких нулей и единиц соответствуют разным частотам FSB.
• Регистром называется функциональный узел, осуществляющий приём, хранение и передачу информации.

Практически все пользователи хотят добиться наибольшего быстродействия своего персонального компьютера. Неплохой способ улучшить скорость работы ПК – разогнать оперативную память. Это делается с помощью настроек BIOS вашей материнской платы. Правильный разгон имеет несколько тонкостей, и они описаны в данной статье. Далее вы узнаете, как можно разогнать свою оперативную память, как узнать результаты разгона и как определить оптимальные параметры.

Подготовка к работе

«У меня есть новая оперативная память – как узнать, что делать дальше, чтоб увеличить ее частоту?» — обычно спрашивают пользователи. Установка планок оперативки в соответствующие слоты компьютера является довольно простым делом и в данной статье не рассматривается. После того, как вы подключите – RAM заработает на минимальной скорости. Производители стараются настраивать все так, чтобы оно работало максимально надежно.

Любое повышение скорости работы компьютера – это одновременно и снижение стабильности. Правильно разогнать память — значит опытным путем определить оптимальную частоту и тайминги.

Если вам не хочется экспериментировать – можно узнать, какая сборка будет оптимальной, на тематических форумах или в специальных статьях.

Для того чтобы искать на форуме нужную информацию, необходимо узнать ответы на следующие вопросы:

• Какая у меня оперативная память?
• Что у меня за процессор?
• Какая меня установлена материнская плата?

Только после этого опытные пользователи смогут узнать оптимальные для вас конфигурации. Установленный процессор очень сильно влияет на частоту оперативки, а разные материнки могут выдавать разные показатели стабильности работы при одних и тех же настройках.

Настройки BIOS

Для того чтобы разогнать тактовую частоту каких-либо комплектующих компьютера, пользователям нужно зайти в меню конфигураций БИОС. Для этого выполните несколько простых действий, описанных в данной инструкции:

Проверка и повторная настройка

Если после попытки разогнать ПК он не запускается – значит, вы установили сильно высокие показатели. В этом случае необходимо замкнуть металлическим предметом специальный контакт Clear CMOS (JBAT), расположенный недалеко от слотов оперативной памяти, чтобы сбросить настройки. В этом случае задайте немного более приближенные к исходному профилю варианты.

После загрузки Windows пользователям потребуется провести несколько тестов на стабильность работы компьютера. Это можно сделать с помощью бенчмарков, например, в программах Everest или AIDA64. Также попробуйте запустить наиболее требовательные видеоигры и поиграть в них несколько часов. Если никаких ошибок не возникает – значит данная сборка стабильна и можно пробовать разогнать еще.

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
4. При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Основные тайминги памяти

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без). SPD (Serial Presence Detect) - микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги. РСВ - печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?

ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами:

• Socket AM3+ (AMD Bulldozer);
• Socket FM1 (AMD Llano);
• Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield);
• Socket 2011 (Sandy Bridge-E);
• Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown).

Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8.

Но главная причина выбора в пользу бюджетной памяти в том, что даже при сборке более-менее мощной конфигурации предпочтительнее выделить больше средств на видеокарту, процессор или даже SSD-накопитель.

Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8 , работающий на частоте 2400 МГц.

Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц.

Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения.

Характеристики

Характеристики модулей памяти перечислены в таблице:

Упаковка и внешний вид

Все протестированные модули поставлялись в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации. Экономия на упаковке – один из способов уменьшить конечную розничную цену для покупателя. Даже если изначально производителем памяти и были предусмотрены какие-то пластиковые коробочки, то от них вполне могли избавиться, чтобы сократить затраты на логистику. Ничего страшного в этом нет, но стоит знать, что при таком способе транспортировки часть модулей приезжает «битыми». Поэтому при получении их в магазине необходим внимательный осмотр на отсутствие повреждений. Также не лишним будет взять с собой в магазин упаковку от какой-либо другой памяти, чтобы не повредить только что купленную по дороге домой.

Кстати, одна из взятых на тестирование планок оказалась со сколотыми элементами, и было потрачено дополнительное время на её замену.

Начнем обзор с модулей Hynix, интересных, прежде всего тем, что на данный момент микросхемы именно этого производителя используются в большинстве дорогих высокочастотных комплектов памяти, состоящих из планок объемом 4 Гбайта.

Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)

Модуль памяти производства Hynix выполнен на печатной плате синего цвета. Объем - 4096 Мбайт, он набран шестнадцатью микросхемами с плотностью два гигабита, которые установлены по восемь с каждой стороны.

На наклейке приведена маркировка планки (part number) HMT351U6CFR-H9, её объем, номинальная частота и неделя производства (38 неделя 2011 года):

Компания Hynix является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов, поэтому для модулей памяти использует микросхемы собственного производства.

В данном случае это микросхемы DDR3 памяти Hynix H5TQ2G83CFR-H9C, выпущенные на 35 неделе 2011 года. Они рассчитаны на работу с частотой 1333 МГц, таймингами 9-9-9 и напряжением 1.50 В. Документацию к ним в формате PDF можно скачать с сайта производителя (218 Кбайт).

Микросхема SPD:

Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: hynix_hmt351u6cfr-h9.spd .

Модуль основан на PCB ST-104B:

По надписи «Hynix Korea» на печатной плате можно было бы предположить, что она сделана на заводе Hynix в Корее, но это не так. Как вы увидите чуть ниже, некоторые разновидности модулей памяти Samsung тоже используют плату ST-104B со схожим дизайном, но с надписью «Samsung». Вероятно, и Samsung, и Hynix заказывают изготовление PCB для своих модулей памяти у одного и того же стороннего производителя, а далее уже получают их с отличающимися маркировками. А затем на собственных заводах в Корее собирают модуль, устанавливая на него свои микросхемы.

Переходим к обзору памяти Samsung и начнем с самой дешевой модели:

Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)

Компания Samsung использует зеленый цвет для своих модулей. Плотность микросхем стандартная (2 Гбит), поэтому их количество и размещение не отличается от других планок объемом 4 Гбайта.

Наклейка на модуле по форме и набору информации на ней такая же, как и у Hynix. Приводится маркировка M378B5273CH0-CH9, объем модуля, номинальная частота и неделя производства (51 неделя 2011 года):

Компания Samsung (аналогично Hynix) является производителем микросхем памяти и использует их для изготовления собственной продукции.

Используется PCB с маркировкой ST-104B, как и у модулей Hynix, но с отличающимся дизайном:

Следующие две разновидности модулей памяти Samsung незначительно дороже уже рассмотренных выше, но зато они и рассчитаны на чуть более высокую частоту 1600 МГц.

Ассортимент частот DDR3 раскрылся намного раньше, чем у DDR2, поскольку модули DDR3 с частотами 1066, 1333 и 1600 МГц (DDR) уже появились на рынке, и призваны заменить память DDR2 на 533, 667 и 800 МГц (DDR). Как и в случае DDR2, есть более высокие, "нестандартные" частоты, но они нацелены на энтузиастов, а не на массовый рынок. В нашем обзоре мы рассмотрим модули, которые работают на "массовых" скоростях DDR3, поскольку память на 1333 МГц (DDR) как раз попадает посередине между "бюджетной" (1066 МГц) и high-end (1600 МГц). Всего мы пригласили к участию 13 разных компаний, и восемь из них выслали свою память для нашего тестирования.

Как и в предыдущих тестах памяти, мы разогнали каждый набор до предела стабильности, чтобы найти порог производительности. Но перед тем как мы перейдём к рассмотрению модулей DDR3, давайте поговорим об этом рынке. Какие преимущества имеет новая память перед DDR2? Почему она была представлена? И когда новая технология выходит на рынок по немалой цене, стоит ли тратить на неё деньги?

Что в имени тебе моём?

"Официальное" название памяти DDR базируется на её пропускной способности, а не на тактовой частоте. Простой способ преобразовать её эффективную частоту в пропускную способность - умножить на восемь. Так, DDR-400 называется PC-3200, DDR2-800 - PC2-6400, а DDR3-1600 - PC2-12800.

Объяснить подобную математику очень просто: модули ПК на основе технологии SDRAM подключаются по 64-битной шине; в байте восемь битов, а 64 бита эквивалентны восьми байтам. Например, DDR2-800 передаёт 800 мегабит в секунду по одной линии; 64 линии обеспечивают одновременную передачу восьми битов, и если 800 умножить на восемь как раз и будет 6 400.

Но есть проблема округления, которая впервые появилась с DDR-266 (PC-2100). Эффективная частота передачи 266 МГц на самом деле составляет 266,(6) (шесть в периоде) МГц, поэтому на самом деле пропускная способность составляет 2 133 Мбайт/с.

Сегодня память DDR3-1333 даёт пиковую пропускную способность 10 666 Мбайт/с, которую по желанию производителя можно округлить вниз до PC3-10600, вверх до PC3-10700 или оставить как PC3-10666.

Покупатели, которые планируют выбрать память из нескольких наборов DDR3-1333, должны обращать внимание на все три названия, хотя большинство производителей маркирует свои модули DDR3-1333 как PC3-10600 или PC3-10666.

Грядущая пропускная способность... сегодня!

Часто в качестве аргумента приводят то, что память DDR2 достаточно быстра для современных процессоров, поскольку самая скоростная нынешняя системная шина Intel FSB (Front Side Bus) работает на эффективной частоте 1 333 МГц. Нужна ли при такой частоте 1 333-МГц память? Если ответить кратко, то нет.

Intel ещё со времён появления RDRAM на первых Pentium 4 использует двухканальную память, у которой ширина шины памяти удваивается, так как даже тогда невозможно было найти память, которая работала не медленнее FSB. Самые первые Pentium 4 использовали 64-битную шину FSB с эффективной частотой 400 МГц ещё до появления DDR-400, но два 64-битных модуля DDR-200 (PC-1600) были для такой FSB достаточны, если удвоить ширину шины памяти до 128 битов... Если бы тогда был чипсет DDR SDRAM для Pentium 4. Двухканальная технология с тех пор сохранилась, и FSB1333 как раз соответствует по пропускной способности двум модулям DDR2-667 (PC2-5300) в двухканальном режиме.

Ещё один аргумент заключается в "синхронной" работе памяти по отношению FSB CPU: многим кажется, что память DDR3-1333 синхронно работает с FSB-1333. Однако это не так. Intel использует технологию учетверённой передачи за такт QDR (Quad Data Rate) для FSB, а память - технологию удвоенной передачи DDR (Double Data Rate). FSB-1333 работает на физической тактовой частоте 333 МГц, что соответствует памяти DDR2-667.

Да, некоторые пользователи замечают небольшой прирост производительности от работы памяти с множителем до 1,5x по отношению к частоте FSB CPU, нарушая принцип синхронной работы. Собственно, именно поэтому память DDR2-667 стала популярной ещё до появления Intel FSB-1333, и именно поэтому память DDR2-800 хорошо покупают даже те, кто не планирует заниматься разгоном.

Пусть многим сборщикам уже некоторое время ничего не нужно, кроме недорогих модулей DDR2, но память DDR3 имеет два ключевых преимущества. Во-первых, максимальная плотность памяти у чипов была расширена до 8 Гбит, что даёт для 16-чипового модуля ёмкость 16 Гбайт. Во-вторых, напряжение питания по умолчанию было снижено до 1,50 В по сравнению с 1,80 В у DDR2, что даёт 30% снижение энергопотребления при равных тактовых частотах.

Покупать или нет?

Одним из важных аргументов в пользу памяти DDR3 является постепенное движение чипсетов Intel в этом направлении. Компания впервые добавила поддержку DDR3 в качестве опции у северного моста чипсета P35 Express, да и рынок DDR3 затем был и далее расширен с появлением новых чипсетов DDR3. Производители материнских плат попытаются собрать все сливки с энтузиастов, первыми внедряющих новые технологии, поэтому большинство плат на очень дорогом чипсете X48 наверняка будет поддерживать последний стандарт памяти. Между тем DDR3 будет постепенно спускаться и до "бюджетного" рынка.

Последние технологии всегда достаются недёшево, а памяти DDR2 хватает для большинства систем, так зачем беспокоиться? Intel, скорее всего, будет готовить рынок настольных ПК к следующему крупному шагу, в частности, перенеся контроллер памяти с чипсета на сам процессор. Как и у текущих процессоров AMD, этот шаг убирает ограничения по пропускной способности FSB и позволяет будущим процессорам получать данные с такой же скоростью, с которой они будут передаваться из памяти.

Покупатель сам вправе решать, нести ли ему бремя продвижения новых технологий в массы. Многие всё ещё помнят, как память RDRAM совершенно зря насаждалась для чипсетов Pentium III, тех же i820 и i840, по мере того, как Intel готовила чипсет i850 для Pentium 4 с такой же памятью. План Intel заключался в расширении доступности памяти RDRAM к моменту, когда она действительно потребуется, но рынок среагировал негативно. Впрочем, сходства с продвижением DDR3 на этом заканчиваются, поскольку Intel не продвигает насильно память на рынок, а предоставляет подобную опцию для прироста производительности.

Впрочем, не нужно думать, что память DDR3 на текущих частотах FSB у Intel так уж бесполезна, ведь существенно выросшие частоты позволяют хорошо разгонять FSB. FSB-1600 (физическая частота 400 МГц) появится в ближайшее время, и если требуется разогнать 2,80-ГГц процессор с FSB1600 (400 МГц FSB x7) до 4,20 ГГц (600 МГц FSB x7), то потребуется память, способная работать на эффективной частоте 1 200 МГц (физическая частота 600 МГц). DDR2-1200 встречается редко, так как эта память требует чрезмерного подъёма напряжения, хорошего охлаждения и молитв пользователя, что она не "умрёт", поскольку это просто разогнанные модули DDR2-800.

Поэтому, пока большинство сборщиков систем на Core 2 сравнивают цены DDR2-800 с разными моделями DDR3, оверклокеры рассматривают DDR3-1333 как более скоростную, дешёвую и надёжную альтернативу DDR2-1200. Более того, по мере продвижения DDR3 на массовый рынок, оверклокеры с более ограниченным бюджетом тоже к ним присоединятся.

Частота против задержек: мифы и факты

Существует миф, что каждый новый формат увеличивает время отклика. Этот миф основан на методе, которым измеряются задержки (тайминги): по времени такта.

Рассмотрим задержки трёх последних форматов памяти: память DDR-333 для верхнего сегмента массового рынка работала с задержками CAS 2; схожая по позиционированию память DDR2-667 - с CAS 4, и современная память DDR3-1333 - с CAS 8. Большинство пользователей будут удивлены, узнав, что столь различающиеся задержки CAS на самом деле дают одинаковое время отклика, а именно, 12 наносекунд.

Дело в том, что время такта (период) обратно пропорционально тактовой частоте (1/2 от эффективной частоты DDR). У DDR-333 время такта составляет шесть наносекунд, у DDR2-667 - три наносекунды, а у DDR3-1333 - 1,5 нс. Задержка измеряется в тактах, и два 6-нс такта по времени длятся столько же, сколько четыре 3-нс или восемь 1,5-нс. Если у вас ещё остались сомнения, посчитайте сами!

Многие, не очень вдумчивые покупатели считают, что более скоростная память реагирует медленнее, но из приведённых примеров очевидно, что это не так. Проблема заключается не в том, что время отклика становится меньше, а в том, что оно не становится быстрее! Когда мы смотрим на астрономические частоты, то надеемся, что в результате система станет более отзывчивой. Однако за последние годы задержки памяти, увы, ощутимо не изменились.

Мы всё же надеемся найти действительно быстрые модули, поэтому наши тесты включают как проверку максимальных частот, так и минимального времени отклика. Всё это - при сохранении стабильности системы.

Но что значат эти числа?

Итак, задержки измеряются в тактах, а не в секундах, но что они означают? Большинству покупателей мы рекомендуем смотреть только на первые четыре значения, которые приведены в порядке значимости, например, 9-9-9-24 в случае высокоскоростных модулей DDR3. Обычно задержки называются CAS Latency (tCL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge Time (tRP) и Active Precharge Delay (tRAS).

10 комплектов для выбора

Большинство из 13 производителей памяти, с которыми мы связались, пожелали участвовать в наших сводных тестах, но несколько компаний пока не производят память DDR3 с эффективной частотой 1 333 МГц. Некоторые полностью игнорируют массовый рынок, фокусируясь на "бюджетных" моделях DDR3-1066 и экстремальных DDR3-1600. Единственная компания, которая производит модули, но не успела к установленному сроку, - Team Group. Из восьми компаний, которые участвуют в наших тестах, OCZ и Kingston выслали по паре комплектов, что говорит о широком ассортименте этих компаний.

Aeneon X-Tune DDR3-1333

Если вы никогда не слышали о компании Aeneon, вы не одиноки. Это новая розничная торговая марка Qimonda. Если же и последнее название вам ничего не говорит, то, вероятно, по причине того, что так называется бывшее подразделение по производству памяти Infineon. Опытные сборщики должны быть наверняка знакомы с памятью Infineon и её репутацией качества и надёжности.

В то время как другие производители пытаются выбрать, называть свою память PC3-10600 или PC3-10666, Aeneon решила оставить этот спор и назвать свою память по эффективной частоте, а не по пропускной способности. Ведь многие сборщики обращают внимание, прежде всего, на частоту, а не на пропускную способность.

Модули продаются под модельным номером AXH760UD00-13G. В комплект поставки входят два 1-Гбайт модуля DDR3-1333 с заявленной физической частотой 667 МГц и задержками 8-8-8-15 при напряжении по умолчанию 1,50 В. Самое близкое значение в таблице SPD - 8-8-8-24. Если вы хотите, чтобы модули X-Tune работали с заявленными задержками, то следует войти в BIOS и вручную снизить задержку tRAS с 24 до 15 тактов.

Значения SPD с низкой частотой 416 МГц (DDR3-833) гарантируют, что системы с низкой частотой FSB загрузятся на автоматической конфигурации, и Aeneon решила подняться на одну ступень выше, предоставив профиль на 750 МГц. Для процессоров с FSB1066 будет полезен режим 500 МГц с множителем памяти 3:2 DRAM:FSB, однако профиль на 533 МГц (DDR3-1066) был бы полезнее для автоматической настройки большего числа конфигураций.

G.Skill PC3-10600

Компания G.Skill заслужила весьма достойную репутацию среди энтузиастов с ограниченным бюджетом, потому что она предлагает высокоскоростную память по стандартным розничным ценам. В случае DDR3-1333 мы обнаружили, что память продаётся по ценам топовых модулей DDR3-1066.

Но принадлежность к "недорогим производительным" модулям вовсе не говорит о том, что придётся идти на компромиссы. G-Skill неплохо поработала, модули оснащены распределителями тепла, а по качеству упаковка может потягаться с более дорогими моделями. Под номером F3-10600CL9D-2GBNQ скрывается набор из двух 1-Гбайт модулей DDR3-1333 со стандартными задержками 9-9-9-24 при напряжении по умолчанию 1,50 В. Память, как указывается, может работать на любом напряжении от 1,50 до 1,60 В, что позволит её разогнать.

Значение SPD для физической частоты 667 МГц (DDR3-1333) оказалось вполне ожидаемым, но режимы на 592 и 444 МГц показались нам несколько странными. Но мы протестировали модули на разных материнских платах и можем подтвердить, что режим на 592 МГц (DDR3-1184) работает при необходимости и как DDR3-1066.

Если вам требуется заставить работать модули G.Skill PC3-10600 выше штатных значений, то придётся использовать ручную настройку.

Kingston ValueRAM PC3-10600

Kingston, вероятно, наиболее ориентированный на массовый рынок производитель из нашего обзора, он предлагает полную линейку модулей, от ничем не примечательных до весьма любопытных. Компания предоставила нам два комплекта с одинаковыми частотами, при этом ValueRAM PC3-10600 относится к классу "стандартной производительности".

Модули выглядят весьма скромно, но Kingston указала для модулей KVR1333D3N8/1G весьма производительные задержки 8-8-8-24 на штатном напряжении материнской платы 1,50 В. Два 1-Гбайт модуля обеспечивают двухканальный набор, именно поэтому компания выслала нам пару DIMM.

Значения SPD для частот 667, 583, 500 и 416 МГц обеспечивают автоматическую настройку для памяти DDR3-1333, DDR3-1066, DDR3-1000 и DDR3-800, с небольшим потенциалом разгона в режимах на 416 и 583 МГц.

Поскольку для всех режимов памяти есть настройки SPD, то вручную выполнять конфигурацию не требуется.

Kingston HyperX PC3-11000

В линейку Kingston HyperX входят модули, которые превосходят возможности стандартных компонентов. Так, набор PC3-11000 заявлен для работы на частоте 1 375 МГц. Однако это значение очень близко к стандартной 1 333 МГц, что позволило нам считать их просто улучшенными DIMM DDR3-1333.

В набор KHX11000D3LLK2/2G входят два 1-Гбайт модуля с синими распределителями тепла, с заявленными задержками при напряжении 1,70 В. Нестандартное напряжение требует ручной настройки в BIOS, и по умолчанию модули работают в медленном режиме 533 МГц (DDR3-1066), чтобы обеспечить загрузку на штатных 1,50 В.

На самом деле значение SPD для DDR3-1333 не присутствует в таблице HyperX, самой высокой 1,50-В настройкой является 609 МГц на CAS 8. Поскольку штатно модули работают с заявленными задержками на меньшей тактовой частоте, придётся вручную поменять частоту и напряжение в BIOS материнской платы.

Режим SPD 457 МГц будет полезен для автоматической конфигурации DDR3-800 при использовании процессоров FSB800, а 533-МГц значение DDR3-1066 работает для процессоров FSB1066, FSB1333 и FSB1600.

Mushkin Enhanced EM3-10666

За последние годы Mushkin сместила акцент с "экстремальной производительности" на "абсолютную стабильность". Хотя компания продолжает свои усилия по выпуску высокоскоростных модулей. А что ещё нужно энтузиасту, кроме стабильности и скорости?

В отличие от многих предыдущих продуктов Mushkin, набор 996583 из двух 1-Гбайт модулей заявлен на частоте DDR3-1333 с весьма скромными задержками 9-9-9-24 при напряжении по умолчанию 1,50 В. Такой режим DDR3-1333 задан в SPD, поэтому память автоматически заработает с процессором FSB1333.

Другие значения SPD включают 444 и 518 МГц, которые в BIOS распознаются как DDR3-800 и DDR3-1000. Опять же, большинству пользователей нормальный режим DDR3-1066 подошёл бы лучше, чем странный DDR3-1036, поскольку система с DDR3-1066 по умолчанию будет использовать медленные задержки SPD для DDR3-1333.

OCZ PC3-10666 Platinum Edition

Подобно Kingston, OCZ желает охватить как можно больший рынок DDR3-1333, предлагая несколько модулей. Но, в отличие от Kingston, "младший" набор от OCZ относится к среднему уровню, обеспечивая те же самые задержки CAS 7, что и high-end модули конкурента.

Да, на рынке можно найти комплект Gold от OCZ ещё дешевле, но линейка Platinum Edition для массового рынка даёт задержки 7-7-7-20. Это не просто заявленные задержки, для активации которых необходимо вручную копаться в BIOS, они прописаны в SPD комплекта OCZ3P13332GK из двух 1-Гбайт модулей.

Но вот здесь есть некоторая странность: модули OCZ Platinum должны работать на полной производительности при напряжении 1,70 В, а в таблице SPD упомянутые задержки приведены для 1,50 В. OCZ - одна из тех компаний, кто поставлял модули, с которыми некоторые системы не загружались, поскольку значения SPD были слишком жёсткими для работы на штатном напряжении материнской платы (1,50 В для DDR3).

Хорошая новость в том, что наши модули работали стабильно при указанных задержках, нам не пришлось вручную поднимать напряжение со штатных 1,50 В до рекомендованных OCZ 1,70 В. Это верно для обеих материнских плат Gigabyte и Asus.

Значение SPD 761 МГц (DDR3-1522) с задержками 8-8-8-23 обеспечивает потенциал разгона для тех оверклокеров, кто не знаком с ручным выставлением режимов памяти, а значения SPD 571 и 476 МГц переходят в DDR3-1066 и DDR3-800 для процессоров с меньшей частотой FSB.

OCZ PC3-10666 ReaperX HPC Enhanced Bandwidth

Если вас впечатлили модули OCZ Platinum Edition для среднего рыночного сегмента, работающие с теми же задержками, что high-end версии некоторых конкурентов, то вы наверняка будете ещё больше заворожены заявленными задержками для линейки ReaperX. Оснащённые радиатором на двух тепловых трубках, модули ReaperX заявлены на эффективную частоту 1 333 МГц с задержками CAS 6.

Задержки CAS 6 звучат впечатляюще, но память ими не ограничивается. Поддерживается режим 6-5-5-18, который быстрее 6-6-6-x, обычно понимаемого под названием "CAS 6". Немалую роль играет сложная система охлаждения, поскольку для работы DDR3-1333 с задержками 6-5-5-18 напряжение нужно увеличить до 1,85 В.

Однако для работы модулей ReaperX на заявленном уровне нужно войти в BIOS и вручную установить частоту, задержки и напряжение. Но это можно простить модулям с экстремальной производительностью, поскольку целевая аудитория явно знакома с настройкой BIOS. Но у начинающих оверклокеров могут возникнуть проблемы.

Даже в 533-МГц режиме SPD (DDR3-1066) модули ReaperX OCZ3RPX1333EB2GK используют задержки 6-5-5-20 вместо 6-5-5-18, но, по крайней мере, автоматическая конфигурация DDR3-1066 гарантирует стабильную первую загрузку до ручных правок настроек BIOS.

В SPD отсутствуют значения для DDR3-1333, вместо них используется непривычный режим DDR3-1244 на физической частоте 622 МГц, есть и DDR3-1422 на 711 МГц. Но ни одна из наших материнских плат не стала использовать задержки DDR3-1422 для режима DDR3-1333 по умолчанию на процессоре FSB1333, а снизила частоту модулей ReaperX до DDR2-1066 автоматической конфигурации. CPU-Z указывает, что, вероятно, причиной такого поведения можно считать электронную маркировку модулей PC3-8500 вместо PC3-10700.

PDP Patriot Extreme Performance PC3-10666 Low Latency

PDP Patriot выслала нам комплект PDC34G1333LLK, у которого LLK в конце модельного номера обозначает двухканальный набор с низкими задержками. Он обеспечивает те же задержки CAS 7, что high-end модули Kingston HyperX и память OCZ Platinum Edition среднего уровня, однако здесь мы встретили то, чего не было в других комплектах: 4 Гбайт ёмкости. Хотя сегодня многие компании предлагают 4-Гбайт наборы своим клиентам, только Patriot решилась выслать нам такой комплект для тестов разгона и минимальных задержек.

Решение компании Patriot предоставить нам модули с высокой ёмкостью для тестов разгона говорит о немалой степени уверенности в их характеристиках, поскольку добиться стабильной работы модулей с большей ёмкостью труднее. Подобно Kingston и OCZ, компания указала, что сборщикам системы нужно войти в BIOS и поднять напряжение DIMM с 1,50 до 1,70 В, после чего можно вручную выставлять заявленные настройки DDR3-1333 7-7-7-20.

На самом деле значений для DDR3-1333 в SPD нет, но задержки 7-7-7-20 указаны для работы в режиме DDR3-1066 (физическая частота 533 МГц) на штатном напряжении 1,50 В. Впрочем, для пользователей, знакомых с BIOS, указать нужный режим не составит труда.

В SPD есть режим на 457 МГц (DDR3-914), который позволяет владельцам процессоров с FSB800 автоматически выставить память в DDR3-800 до каких-либо ручных изменений в BIOS.

Поскольку больше значений для DDR3 в SPD не предусмотрено, наша память на обеих материнских платах Gigabyte и Asus штатно заработала в режиме DDR3-1066 с процессорами FSB-1333 и FSB-1600.

Super Talent PC3-10600 CL8

Эта компания известна модулями с экстремальными возможностями, поэтому от комплекта двух 1-Гбайт DIMM Super Talent W1333UX2G8 мы ждали многого.

Ранее Super Talent выпустила модули DDR3-1600, способные разгоняться выше отметки 2 ГГц ещё до того, как большинство конкурентов представили DDR3-1333. С другой стороны, средние задержки 8-8-8-18 и весьма высокое напряжение 1,80 внушают не очень много энтузиазма по поводу моделей среднего уровня. Только тесты покажут, соответствуют или нет DIMM репутации Super Talent по высокой степени разгона.

В таблице SPD у Super Talent нет режимов DDR3-1333 (физическая частота 667 МГц), электронная маркировка модулей составляет DDR3-1066. То есть в большинстве конфигураций память будет настроена на режим DDR3-1066.

Super Talent - единственная компания в нашем тестировании, которая добавила расширения Intel XMP SPD, которые работают подобно профилям EPP (Enhanced Performance Profiles), знакомым энтузиастам материнских плат на DDR2, когда память автоматически настраивалась в режим с повышенным напряжением и увеличенной частотой. В данном случае Super Talent позволяет автоматически разгонять модули DDR3-1333 до DDR3-1600 при очень высоком напряжении 2,00 В.

Wintec AMPX PC3-10600

Компания Wintec Industries известна, по большей части, OEM-производителям. Однако она уже несколько продуктовых циклов производит высокоскоростную линейку AMPX и надеется, что сможет завоевать доверие энтузиастов и оверклокеров с ограниченным бюджетом. Компания выслала нам пару последних 1-Гбайт модулей AMPX PC3-10600.

Заявленные задержки составляют 9-9-9-24 при штатном напряжении 1,50 В, то есть пара гигабайтных модулей 3AHX1333C9-2048K подразумевает самостоятельные усилия по разгону, но, в отличие от более дорогих DIMM, память не валидирована под какие-либо скоростные режимы.

На самом деле у Wintec AMPX PC3-10600 даже нет в SPD режимов выше DDR3-1066, а сами модули электрически заявлены как менее скоростные. Поэтому после сборки системы нужно вручную настроить частоту и задержки, пусть даже модули заявлены на работу в режиме DDR3-1333 на штатном напряжении.

Вообще, странно, что заявленного режима нет в таблице SPD. Возможно, это будет сделано позднее, у более новых партий DIMM.

Сравнение задержек SPD

Хотя ниже в тесте "минимально стабильных задержек" мы приведём минимальные тайминги при повышенном напряжении, мы решили дать таблицу значений SPD, которая ясно показывает, на какой рынок ориентированы те или иные модули.

Aeneon и OCZ указали профили SPD, превышающие заявленные спецификации, а профили Intel XMP у памяти Super Talent обеспечивают автоматический разгон памяти. Kingston и PDP Patriot нацелились на аудиторию, предпочитающую низкие задержки, а OCZ "выстрелила" по обоим рынкам со своими двумя наборами.

Тестовая конфигурация: разгон памяти

Цена на DDR3 по-прежнему не опустилась до уровня массового рынка, и сегодня одной из основных причин покупки относительно дорогой памяти DDR3 является разгон, который не упирался бы в частоту памяти. Конечно, можно заплатить астрономические суммы за DDR3-1800 или даже более скоростную память для оверклокеров, но мы всё же хотели посмотреть, на что способны менее дорогие комплекты.

Сегодня появляются новые комплектующие, но лучшими платами для разгона являются модели на основе чипсета Intel P35, в то же время, процессоры Core 2 Duo выдерживают ощутимо более высокую частоту шины, чем Core 2 Quad. Поэтому мы собрали систему таким образом, чтобы сделать её максимально нацеленной на разгон, независимо от возраста комплектующих.

Наш тестовый образец Core 2 Duo оказался весьма удачным, поскольку он смог достичь 520-МГц FSB при множителе 8x по умолчанию и 540-МГц FSB при множителе 6x на топовых материнских платах. Используя самый высокий множитель памяти у чипсета P35, при множителе 6x CPU мы можем получить эффективную частоту памяти 2 160 МГц!

Конечно, нам требовалась материнская плата, которая работает с памятью очень стабильно, и лучше всего на эту роль подошла Gigabyte GA-P35T-DQ6.

Чтобы получить разные частоты памяти при фиксированном множителе 6x, нам потребовалось в каждом тесте менять частоту CPU. Изменение частоты CPU заметно влияет на результаты обычных тестов, поэтому мы ограничились только тестами пропускной способности памяти в разделе разгона.

Результаты тестов разгона

Разгон памяти часто требует увеличения питания, но некоторые модули менее терпимы к повышению напряжения, чем другие. Точно так же, есть более агрессивные оверклокеры, а есть и более умеренные. Поэтому мы выбрали три уровня напряжения, чтобы удовлетворить большей части аудитории: штатное (1,50 В), разумное повышенное напряжение (1,80 В) и сумасшедшее для агрессивных оверклокеров - 2,10 В. Обратите внимание, что даже наш "разумно безопасный" уровень является повышением штатного напряжения на 20%, хотя мы вполне уверены, что большинство модулей выдержат подобный режим на протяжении нескольких лет работы.

Чтобы поставить все модули в одинаковые рамки, мы ослабили в тестах разгона задержки до уровня 9-9-9-24. Каковы же будут результаты?

Память OCZ Platinum DDR3-1333 легко обогнала конкурентов на 2,10 В, даже опередив линейку ReaperX, нацеленную на экстремальный разгон, от того же производителя. Память Wintec AMPX вышла на второе место, показав самую высокую частоту при напряжении 1,80 В, но не смогла обеспечить какое-либо преимущество от повышения напряжения до 2,10 В.

Мы были весьма удивлены тому, что модули OCZ ReaperX не смогли разогнаться на 2,10 В лучше, чем на 1,80 В, поскольку они используют мощную систему охлаждения. Впрочем, OCZ - не единственная компания, чьи high-end модули уступили менее скоростным моделям, поскольку DIMM Kingston PC3-10600 обеспечили большую производительность, чем HyperX PC3-11000.

Теперь позвольте сравнить производительность каждого набора, куда мы добавили заявленные задержки (rated) в дополнение к максимальному разгону на CAS 9. Начнём мы с теста памяти PC Mark 2005.

Нужен ли ещё какой-нибудь тест, чтобы доказать, что самые скоростные модули дают лучшую производительность? Наверное, нет, но приведём результаты. Да, 928-МГц память OCZ ReaperX несколько обошла 930-МГц Wintec AMPX, но это может быть связано с другими задержками, помимо четырёх, которые мы выставили вручную.

В тесте PC Mark 2005 результаты совпадают с частотами модулей памяти. Давайте посмотрим на тест памяти SiSoftware Sandra.

Результаты Sandra вновь отражают прирост частоты памяти, хотя 920-МГц память Super Talent несколько обошла 930-МГц Wintec, что может быть, опять же, связано с задержками помимо тех четырёх, которые мы выставили вручную.

Конечно, основной причиной, почему при разгоне следует выбирать память DDR3, является обход ограничений по частоте памяти, которые могут возникнуть при увеличении частоты CPU. Учитывая небольшое различие в производительности памяти на такт, для разгона следует выбирать самую скоростную память, которая уместится в доступном бюджете.

Проблема с режимами "Boot Strap"

Следующий шаг в нашем тестировании заключается в нахождении наиболее производительных настроек памяти при данной тактовой частоте, то есть минимальных задержек. Звучит относительно просто, но на самом деле этот тест требует многих часов тестирования для проверки стабильности каждой пары модулей на каждой частоте.

Большинство протестированных модулей могут добраться до эффективной тактовой частоты 1 600 МГц. Идеальным решением для тестов подобных модулей будет процессор FSB1600 с частотами памяти 1 600, 1 333 и 1 066 МГц. Эти частоты соответствуют часто используемым множителям DRAM к FSB 2:1, 5:3 и 4:3. Достаточно просто, не так ли?

К сожалению, Intel не публикует каждый доступный делитель при каждой доступной скорости шины. Компания выбирает скорости памяти, исходя из собственных соображений по поводу того, что требуется потребителям, и поддерживает при каждом режиме FSB только их.

Чтобы выбрать делитель, который Intel не "благословила" для данной частоты, придётся выбрать другую частоту FSB и разогнать её.

Но здесь возникает проблема, о которой знают опытные оверклокеры, - режимы "Boot Strap". Северный мост чипсета работает на собственной тактовой частоте, которая зависит от частоты FSB. И каждый уровень частоты северного моста зависит от "Boot Strap". Например, для частоты FSB800 северный мост будет работать на 200 МГц ("200 MHz Boot Strap"), а для FSB1600 - на 400 МГц ("400 MHz Boot Strap"). Ручная установка 400-МГц частоты FSB (FSB1600) при использовании режима "Boot Strap"для 200-МГц FSB (FSB-800) приведёт к разгону северного моста на 100%.

Обратите внимание, например, что Intel больше не поддерживает DDR2-533 (физическая тактовая частота 266 МГц), то есть компания больше не предоставляет множитель 1:1 для 266-МГц FSB1066. Кроме того, чипсет X38 поддерживает "Boot Strap" FSB1600, но в этом режиме нет множителя 5:3, который необходим для памяти DDR3-1333. Чтобы получить множитель 5:3 DRAM к FSB, необходимо использовать 200-МГц "Boot Strap"вместо 400-МГц, "родного" для FSB1600.

Эффект выбора неверного "Boot Strap"не следует преуменьшать, поскольку ни чипсет P35, ни X38 нельзя разогнать на 100%, но даже если было бы и можно, то получилось бы заметное падение общей системной производительности.

Это не позволило нам использовать некоторые "родные" DDR3-1333 модули с процессором FSB1600 на материнской плате Gigabyte X38T-DQ6, поскольку она автоматически выставляла 400-МГц FSB с множителем памяти 5:3 DRAM:FSM, что, в свою очередь, приводило к низкочастотному 200-МГц режиму "Boot Strap"при высокой 400-МГц частоте FSB. В результате после 100% разгона северный мост отказывался загружаться.

Поэтому мы не рекомендуем использовать память DDR3-1333 для процессоров с FSB1600 на чипсете P35, но как насчёт X38? Наша плата Asus Maximus Extreme выставила 400-МГц режим "Boot Strap", который лишил её требуемого множителя 5:3 DRAM:FSB, поэтому модули заработали на частоте DDR3-1066.

Тестовая конфигурация: минимально возможные задержки

Из-за упомянутых выше ограничений режимов "Boot Strap", нам пришлось выбрать разные частоты FSB для тестов DDR3-1333 и DDR3-1600. Но как сделать правильное сравнение?

Поскольку с процессором FSB1600 множитель 5:3 DRAM:FSB недоступен, то и DDR3-1333 протестировать не получится. Поэтому нам пришлось сравнивать DDR3-1333 и DDR3-1066 на FSB1333, а DDR3-1600 и DDR3-1066 на FSB-1600.

Только две частоты CPU соответствуют одновременно FSB1333 и FSB-1600: 2,0 и 4,0 ГГц. Множители CPU для получения 4,0 ГГц на FSB1333 и FSB1600 составляют 12 x 333 МГц и 10 x 400 МГц, соответственно.

Поскольку плата Asus Maximus Extreme оказалась более грамотной в преодолении проблемы "Boot Strap", мы выбрали именно её для теста минимальных задержек.

Четырёхъядерные процессоры используют память чуть более эффективно, чем двуядерные, и наш тест задержек при максимальной частоте DDR3-1600 соответствует максимальному множителю памяти, который доступен процессорам FSB1600. Мы использовали единственный процессор с "родной" шиной FSB1600, который есть сегодня, а именно, Intel Core 2 Extreme QX9700 на ядре Yorkfield.

Игровые тесты существенно зависят от графической производительности, поэтому мы использовали мощную видеокарту GeForce 8800GTX от Foxconn.

Хотя производительность жёсткого диска не особо влияет на результаты выбранных тестов, использование модели на 10 000 об/мин явно не повредит. В этом отношении "древний" 150-Гбайт винчестер Western Digital Raptor по-прежнему остаётся в лидерах.

Полученные минимальные задержки

Мы использовали относительно безопасное напряжение 1,80 В, при котором определяли у тестовых модулей DDR3-1333 наилучшие задержки при сохранении стабильной работы на эффективных частотах памяти 1600, 1333 и 1066 МГц.

Модули памяти OCZ обеспечили впечатляющие задержки 4-4-3-9 на эффективной частоте памяти 1066 МГц, а потенциально недорогие DIMM Wintec AMPX оказались в тройке с двумя комплектами OCZ на DDR3-1333. Оверклокерам, которым требуются минимальные задержки на 1600 МГц, можно порекомендовать Super Talent 7-6-6-13.

Модули Patriot DDR3-1333 смогли достичь стабильной работы на эффективной частоте 1 652 МГц на топовой материнской плате P35 от Gigabyte, но Asus Maximus Extreme на чипсете X38, похоже, более требовательна. На новой платформе модули не смогли достичь даже частоты 1 600 МГц, но по задержкам они оказались на втором месте в категории DDR3-1333.

Снижение задержек позволяет увеличить производительность системы. Но на какой уровень? Об этом мы узнаем из следующих результатов тестов.

Результаты тестов с минимальными задержками

Кодирование видео

В DivX результаты оказались весьма странными, поскольку минимальные задержки не всегда приводили к победе. Похоже, есть небольшой прирост производительности от увеличения частоты, но результаты слишком непостоянны, чтобы их глубже анализировать.

XviD демонстрирует возможный прирост производительности от более скоростной шины FSB, а также и прирост от сочетания высокоскоростной FSB с высокими частотами памяти. Задержки на этот тест влияют незначительно.

Кодирование звука

Кодирование звука в Lame не демонстрирует ощутимого прироста производительности от разных частот памяти и задержек.

На результаты OGG частота памяти и задержки влияют слабо. С учётом полученных результатов можно отметить, что единственным ограничивающим фактором по производительности в обеих программах кодирования звука является процессор.

Игры

Производительность F.E.A.R. ограничивается другими факторами, а не производительностью памяти - скорее всего, видеокартой. Впрочем, вряд ли кто-то будет сетовать на это, поскольку частота кадров очень высока.

Quake 4 даёт крошечный прирост производительности при установке скоростных модулей, но задержки, похоже, влияют слабо.

Приложения

3D Studio Max не показывает ощутимого прироста производительности от более скоростной памяти или более жёстких задержек. Опять же, результаты, похоже, зависят от чистой производительности процессора.

Синтетические тесты

Тесты только памяти, возможно, являются единственными, где можно обнаружить заметный прирост производительности при незначительных изменениях задержек. И в PC Mark 2005 модули Super Talent с великолепными задержками в режиме DDR3-1600 оказались на вершине. С другой стороны, второе место Mushkin слабо связано с шестой позицией по задержкам в DDR3-1600.

Модули Super Talent с удивительно низкими задержками в режиме DDR3-1600 вновь вышли в лидеры в первом тесте памяти Sandra, но Kingston ValueRAM взяли второе место, несмотря на пятую позицию по минимальным задержкам.

Super Talent вновь занимают первое место во втором тесте памяти Sandra благодаря низким задержкам. Mushkin весьма странно второй раз приходят вторыми.

Заключение

Мы хотели, чтобы наше сравнительное тестирование памяти DDR3-1333 оказалось как можно более ценным, поэтому ждали несколько месяцев, пока на рынке не появится достаточное число модулей памяти, чтобы мы могли собрать подборку по соответствующим ценам. К сожалению, несколько из протестированных модулей так и не появились по привлекательным ценам. Впрочем, перед тем, как сделать заключение по ценам, давайте взглянем на производительность.

Как мы уже упоминали выше, сегодня основной причиной покупки памяти DDR3 является снятие барьеров при разгоне CPU, связанных с медленной памятью. Если вы посмотрите, сколько стоят модули DDR2-1200 или более скоростные, то наверняка предпочтёте модели DDR3-1333.

Поскольку нашей основной целью был разгон памяти, то здесь в лидеры вышли модули OCZ Platinum Edition PC3-10666, победившие даже собственную линейку компании ReaperX с улучшенной системой охлаждения, как и конкурентов. Фанаты OCZ воспримут сей факт как должное, но на памяти автора модули OCZ впервые выигрывают состязание по разгону. Приятно видеть, что компания действительно подтверждает свою хорошую репутацию, которая раньше завоёвывалась, в основном, маркетингом.

Покупателям, которые планируют разогнать память до уровня примерно 1 600 МГц, следует обратить внимание на модули Super Talent PC3-10600. Или на скромно выглядящие модули Kingston ValueRAM.

Мы впервые включили модули памяти от Aeneon в широкие тесты, и приятно видеть, что бывшее подразделение Infineon по производству памяти чувствует себя вполне уверенно. Пока эти модули не получили каких-либо наград, но компания может выгодно конкурировать с другими комплектами среднего сегмента рынка по цене.

Набор Wintec AMPX PC3-10600 занял второе место в наших тестах разгона, и хотя мы не смогли обнаружить эти модули на рынке, мы знаем, что эта компания будет конкурировать по цене с OCZ. Опять же, покупателям следует взвешивать любое снижение потенциала для разгона с соответствующим уменьшением цены.